產(chǎn)品簡(jiǎn)介
紅外厚度測(cè)量?jī)x采用光學(xué)干涉原理、非接觸測(cè)量折射率較大或者厚度較大的樣品,比如硅晶圓、鈮酸鋰、鉭酸鋰等,測(cè)量分辨率達(dá)到納米量級(jí)。該儀器具有測(cè)量迅速、操作簡(jiǎn)單、結(jié)果穩(wěn)定、用戶(hù)使用界面易于操作等特點(diǎn),是目前市場(chǎng)上性?xún)r(jià)比優(yōu)良的厚度測(cè)量?jī)x之一??捎糜陔x線(xiàn)或在線(xiàn)厚度的實(shí)時(shí)測(cè)量。
產(chǎn)品特點(diǎn)
全光學(xué)非接觸式測(cè)量,無(wú)須破壞樣品或做前處理
高速、高靈敏度、高精確度、高重復(fù)性測(cè)量
采用近紅外光(NIR),每個(gè)波長(zhǎng)的測(cè)量功率更高
雙光路設(shè)計(jì),以增加探測(cè)光路強(qiáng)度
包含顯微成像系統(tǒng),方便準(zhǔn)確定位測(cè)量部位
可以測(cè)量玻璃蓋板下面硅基的厚度
高動(dòng)態(tài)范圍,對(duì)表面缺陷和粗糙度不敏感,可測(cè)量不規(guī)則表面
能夠在濕法蝕刻過(guò)程中進(jìn)行原位測(cè)量
技術(shù)參數(shù)
測(cè)量類(lèi)型 含顯微成像系統(tǒng) 不含
波長(zhǎng)范圍 950-1100nm
分辨率/波長(zhǎng)間隔 0.12nm/0.04nm
探測(cè)器 Toshiba,3648 Pixels CCD
積分時(shí)間 4ms-60s
信噪比 優(yōu)于 300:1(飽和時(shí))
可測(cè)量厚度(n=3.5) 5µm-500µm
可測(cè)量厚度(n=1.5) 10µm-1400µm
使用光源 近紅外
分辨率 1nm
準(zhǔn)確度 小于±0.5%或者 0.5µm(取較大值)
重復(fù)性 小于±0.1%或者 0.1µm(取較大值)
測(cè)量模式 反射法
入射角度 90°
測(cè)試材料 硅晶圓等
工作距離 約為 25mm(物鏡前端至樣品表面)
測(cè)量視野 小于 500µm
測(cè)量時(shí)間 小于 50ms
數(shù)據(jù)通信接口 USB2.0
電源 AC220V±10%/50Hz±0.1%
尺寸 250x 90x 280mm(寬 x 高 x 深)
操作系統(tǒng) Windows7/Windows10
設(shè)備支持定制,詳細(xì)資料請(qǐng)聯(lián)系營(yíng)銷(xiāo)人員獲取。