圓形逆流式玻璃鋼冷卻塔采用逆流式氣熱交換技術(shù)，填料采用的改性聚乙波片，以擴(kuò)散淋水面積；通過(guò)布水，實(shí)現(xiàn)布水均勻，增強(qiáng)冷卻效果。二、主要用途：（1）DBNL3系列低噪聲型玻璃鋼冷卻塔――適用于水溫降3～8度的空調(diào)制冷機(jī)組等一般冷卻。

玻璃鋼標(biāo)志樁是FRP拉擠型材，其采用玻璃纖維及其制品作為增強(qiáng)材料，以合成樹(shù)脂作基體材料通過(guò)玻璃鋼拉擠機(jī)一次性拉擠成型。
 玻璃鋼標(biāo)志樁點(diǎn):
 　1.比重輕、抗腐蝕、耐老化、密封性能，安全美觀，具有全天候防護(hù)功能，能夠室外工程項(xiàng)目中各種惡劣和場(chǎng)所的需要.
 
　　2.具備優(yōu)異的絕緣材料，高性能的絕緣電阻防止漏電，在高頻下能保持的介電性能,不反射,不微波的傳播,不生銹 *使用安全.
　　3.有的耐腐蝕性能,可以抵抗水，汽油，酒精，電解鹽，醋酸，，鈉鉀化合物，尿，瀝青，適合各種酸堿土壤,防雨產(chǎn)品本身具有的抗老化性能,  玻璃鋼晾水塔
 
　　4.抗沖擊力強(qiáng)，撞擊不變形,有很高的拉伸強(qiáng)度，彎曲強(qiáng)度和沖擊韌性，,  *可以戶外使用安全。
 
　　5.輕，適于搬運(yùn)，安裝簡(jiǎn)單防偷盜，該材料無(wú)回收價(jià)值，自然防盜.可以有效解決地下重要設(shè)施被挖斷的問(wèn)題,具有重的社會(huì)效益和經(jīng)濟(jì)效益.【【隨機(jī)圖片-隨機(jī)圖片2】
 
　　6.*符合要求的環(huán)保材料，未來(lái)發(fā)展需要。在樁體表面印有明顯夜光效果的安全標(biāo)識(shí)；補(bǔ)足了水泥標(biāo)志樁的不足！
 
　　7.樁體表面使種油漆具備性能點(diǎn)：附著力；光澤高；度；硬度高；環(huán)保.能為復(fù)合標(biāo)志樁表面提供*的保護(hù)作用！
 我公司玻璃鋼標(biāo)志樁在樁體表面使種油漆具備附著能力，光澤高，度，硬度，環(huán)保的點(diǎn)，能為復(fù)合標(biāo)志樁表面提供*的保護(hù)作用！文字圖案，采用現(xiàn)代*的絲印刷工藝、使用進(jìn)口油墨，文字圖案具有線性剛勁、流暢多變等風(fēng)格、文字圖案醒目美觀。
 　玻璃鋼標(biāo)志樁埋設(shè)，  玻璃鋼晾水塔
 玻璃鋼標(biāo)志樁埋設(shè)時(shí)，先挖掘所埋深度坑，前后左右十字交叉穿入兩根25CM鋼筋，水泥石子固定即可。一般深埋40cm即可。
 
　　天然氣管線標(biāo)志樁的埋設(shè)是燃?xì)夤疽豁?xiàng)重要工程，所埋設(shè)的管線包括標(biāo)志樁處管線和所有建的天然氣管線，并且這項(xiàng)工程對(duì)公司天然氣的正常運(yùn)行有著極其重要的意義。之前的天然氣管線雖然埋設(shè)有標(biāo)志樁，由于間距、標(biāo)識(shí)不清晰，讓人很難分辨出下面埋設(shè)的是天然氣管線，在今年開(kāi)春的施工旺季，一些施工隊(duì)伍經(jīng)常挖破了天然氣管線，對(duì)公司天然氣的正常投用產(chǎn)生了不利影響。針對(duì)這一現(xiàn)象，公司加快了對(duì)舊天然氣管線標(biāo)志樁的改造力度和建天然氣管線上標(biāo)志樁的埋設(shè)速度。在制作標(biāo)志樁時(shí)別注意選擇天然氣的標(biāo)志性，上面標(biāo)有管道、公司名、管徑和樁號(hào)，讓人看到標(biāo)志樁后就很清楚地下管線的埋設(shè)情況，同時(shí)讓每個(gè)市民都可以參與到天然氣管線的中來(lái)。
 
　　鐵路樁，是安裝在鐵路沿線，對(duì)鐵路電纜、光纜、線路并提供檢修的方形柱體。一般采用水泥材質(zhì)，我公司研制的玻璃鋼材質(zhì)鐵路樁，高90cm，安裝時(shí)挖一個(gè)40cm的深坑，樁體底部有兩根25CM鋼筋相互交叉，放入坑中，水泥石子固定即可。
　　標(biāo)志樁又稱作樁，百米樁，地界樁，轉(zhuǎn)角樁，防汛斷面界樁等。標(biāo)志樁主要采用塑鋼材質(zhì)、玻璃鋼材質(zhì)和水泥材質(zhì)制作而成，標(biāo)志樁被廣泛用于：電力、通信、燃?xì)?、自?lái)水、鐵路地理管線路徑通道指示標(biāo)志兼警告牌。用于鬧市、風(fēng)景區(qū)、綠化帶、灌木叢、頂管兩側(cè)管線路徑指示。
 　　外延片材料主要是硅，硅外延片也是當(dāng)前外延片的主體。除了本部之外，都在其它和地區(qū)設(shè)廠，。LED產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)之一是外延生長(zhǎng)技術(shù)，其核心是在MOCVD設(shè)備（俗稱外延爐）中生長(zhǎng)出一層厚度僅有幾微米的化合物半導(dǎo)體外延層。