⒈ 閃蒸蒸鍍法

將需要蒸發(fā)的合金材料制成細(xì)?；蚍勰?，讓其一顆一顆地落到高溫的坩堝中，每個(gè)顆粒在瞬間*蒸發(fā)掉。這種方法也適用于三元、四元等多元合金的蒸鍍，可以保證膜層組分與膜材合金相一致。但是，對(duì)閃蒸蒸鍍法的蒸發(fā)速率的控制比較困難。

⒉多蒸發(fā)源蒸鍍法

在制備由多種元素組成的合金薄膜時(shí)，原則上可以將這幾種元素分別裝入各自的蒸發(fā)源中，同時(shí)加熱并分別控制蒸發(fā)源的溫度，即獨(dú)立控制各種元素的蒸發(fā)速率，以便保證沉積膜層的組分。這種方法要求各個(gè)蒸發(fā)源之間要屏蔽，防止蒸發(fā)源之間相互污染。

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反應(yīng)蒸鍍法是將活性氣體引入鍍膜室，使活性氣體的原子、分子和從蒸發(fā)源蒸發(fā)出來的膜材原子、分子發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而制備所需要的化合物薄膜的一種方法。粒子間的化學(xué)反應(yīng)可以在空間（即氣相狀態(tài)）也可能在基片上進(jìn)行，或者兩者兼有，不過，一般認(rèn)為在基片上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)的幾率較大。該反應(yīng)與蒸發(fā)溫度、蒸發(fā)速度、反應(yīng)氣體的分壓及基片的溫度等因素有關(guān)。作為蒸發(fā)源的膜材可以是金屬、合金或化合物。反應(yīng)蒸鍍法主要用于制備高熔點(diǎn)的絕緣化合物薄膜。

例如，在蒸發(fā)Ti時(shí)加入C2H2氣體，可獲得硬質(zhì)膜TiC，其反應(yīng)式為

2Ti+ C2H2→2TiC+H2

而在蒸發(fā)Ti時(shí)加入N2,可獲得硬質(zhì)膜TiN,其反應(yīng)式為

2Ti+N2→2TiN

又如，蒸發(fā)SnO2-In2O3混合物時(shí)加入一定量的O2，可獲得ITO透明導(dǎo)電膜。下表列舉了用反應(yīng)蒸鍍法制備化合物薄膜的工藝條件。

<!--[if !supportLists]-->⒋ <!--[endif]-->三溫度蒸鍍法

在制備化合物半導(dǎo)體薄膜時(shí)，基片溫度對(duì)膜層的結(jié)構(gòu)和物理性能的影響是很明顯的，因此在制備二元化合物半導(dǎo)體單晶膜時(shí)，必須控制基片溫度。在這種情況下，將兩種膜材分別裝入各自的蒸發(fā)源內(nèi)，分別獨(dú)立的控制兩個(gè)蒸發(fā)源和一個(gè)基片的溫度（共計(jì)三個(gè)溫度）進(jìn)行蒸發(fā)，故稱三溫度蒸鍍法。這種方法主要用于制備GaAs等Ⅲ～Ⅴ族化合物半導(dǎo)體單晶薄膜。