電子行業(yè)半導體水質標準

電子工業(yè)與超純水在半導體制作工藝中，80%以上的工序要經過化學處理，而每-道化學處理都離不開超純水;在硅片的處理工序中，一半以上的工序經過超純水清洗后便直接進入高溫處理過程，此時如水中含有雜質便會進入硅片，造成器件性能下降成品率低。

電子工業(yè)提出的超純水電阻率≥18MΩ.cm （25℃），已極其接近理論純水水質 18.3 MΩ.cm（25℃）。對電解質、DO、TOC、SIO2、顆粒及細菌等技術指標提出更高要求。如256 兆位的動態(tài)隨機儲存器生產工藝，光刻線條寬已達0.1 微米，要保證這一指標，超純水中顆粒徑就得≤0.05μm，而且20.05μm 不得超過500個/升超純水。

水質標準超純水水質標準大多數由中科院半導體所主要制定。

電子級水國家標準∶詳見表2.1

水的電阻值在測定水的導電性能時，與水的電阻值大小有關，電阻值大，導電性能差，電阻值小，導電性能就良好。根據歐姆定律，在水溫一定的情況下，水的電阻值 R 大小與電極的垂直截面積F 成反比，與電極之間的距離L成正比。

水的電阻率的大小，與水中舍鹽量的多少，水中離子濃度、離子的電荷數以及離子的運動速度有關。因此，純凈的水電阻率很大，超純水電阻率就更大。水越純 ，電阻率越大。

超純水中雜質的污染源制備超純水的水源由于水是一種溶解能力很強的溶劑，因此天然水中含有各種鹽類和化合物，溶有CO2，還有膠體（包括硅膠和腐殖質膠體），天然水中還存在大量的非溶解性質，包括粘土、砂石、細菌、微生物、藻類、浮游生物、熱源等等。

材料的影響∶備超純水的材料設備的材質都是用金屬和塑料制成的，金屬在水中會有痕量溶解，造成金屬離子污染。一些高分子材料在合成時常常加入各種添加劑、增望劑戴外吸光劑箱色劑，引入大量的金屬、非金屬雜質、同時還會帶來有機污染。

材質的污染主要以污染值來衡量，所謂污染值是指，單位面積的材料使單位體積的純水電阻率的增加值。表3.2 分別列出了各種材料的污染值和TOC 的溶出值。