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變頻器的主要發(fā)熱部位也就是整流及逆變部分。整流一般采用三相橋式整流電路，由于是工頻工作，對整流模塊的開關(guān)頻率沒有太高的要求，選擇壓降小的整流模塊可降低這一部分的溫升。在變頻器工作時，作為完成功率變換及輸出的執(zhí)行器件，逆變模塊產(chǎn)生的熱量是非常大的。

 

目前主流變頻器的逆變模塊一般采用IGBT模塊（insulated gate bipolartransistor絕緣柵雙極型晶體管），IGBT是由mosfet和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為mosfet，輸出極為PNP晶體管，因此，可以把其看作是mos輸入的達林頓管。它融和了這兩種器件的優(yōu)點，既具有mosfet器件驅(qū)動簡單和快速的優(yōu)點，又具有雙極型器件容量大的優(yōu)點，igbt作為電壓型控制器件，具有輸入阻抗高、驅(qū)動功率小、控制電路簡單、開關(guān)損耗小、通斷速度快、工作頻率高、功率容量大等優(yōu)點，

 

因而在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應用。一般情況下流過igbt電流較大，開關(guān)頻率較高，故而器件的損耗也比較大，如果熱量不能及時散掉，使得器件的結(jié)溫tj超過tjmax，則igbt可能損壞。igbt模塊的芯片zui大額定結(jié)溫tjmax是150℃，在任何工作條件下，都不允許超過，否則要發(fā)生熱擊穿而造成損壞，一般要留余地，在zui惡劣條件下，結(jié)溫tj限定在125℃以下，但芯片內(nèi)結(jié)溫監(jiān)測有難度，所以變頻器的igbt模塊，都在散熱器表面裝有溫控開關(guān)，其值在80~85℃之間。當達到此溫度時，即因過熱保護動作，從而自動停機，以確保igbt的安全。也有用熱敏電阻進行保護的。igbt的損耗不僅與工作電流大小有關(guān)，更重要的是與變頻器的載波頻率密切相關(guān)。當PWM信號頻率＞5kHz時開關(guān)損耗會非常顯著，溫升會明顯增加。igbt的功耗包括穩(wěn)態(tài)功耗和動態(tài)功耗，其動態(tài)功耗又包括開通功耗和關(guān)斷功耗。

 

其他如半導體器件與導體的連接處、母線（排）、浪涌吸收器與主電路的電阻原件等也在變頻器工作時產(chǎn)生熱量，其溫升極限值在國家標準中也做出相應規(guī)定。